| 基本信息 |
开放实验室名称 |
电子显微镜重点实验室 |
| 类型 |
中科院重点实验室 |
| 认定部门 |
中国科学院 |
认定时间 |
1996年 |
| 依托单位 |
中科院物理研究所 |
| 所属功能平台 |
新材料技术支撑平台；生物与医药技术支撑平台 |
| 所属领域 |
新材料 |
| 负责人 |
冯稷 |
| 服务特色 |
中科院物理研究所先进材料与结构分析实验室成立于2002年1月，是在中科院北京电子显微镜开放实验室（成立于1985年，为中科院第一批开放实验室之一）与物理研究所三个相关课题研究组的基础上组建而成的。实验室致力于先进功能材料的合成、生长及其性能和结构的表征，及相关凝聚态物理的研究，并取得过很多重要研究成果，曾获国家和部委级集体奖以及“欧莱雅－联合国教科文组织世界杰出女科学家成就奖”、“第三世界科学院物理奖”、“何梁何利基金科学与进步奖”、“国际Ludo-Frevel晶体学奖学金”等个人奖共二十余项科技奖励。近几年来，实验室引进了多名优秀青年人才，并购置了多台性能先进的透射电镜、扫描电镜、X-射线衍射仪、拉曼光谱仪、荧光光谱仪和样品制备等科研设备，大大提高了科研工作能力，力争在探索新材料和发展新的结构和物性表征方法的研究上达到国际一流水平。
实验室拥有多台性能先进的透射电子显微镜和扫描电子显微镜及离子减薄仪等制样设备，可承担当前各种先进功能材料的显微结构分析；拥有两台先进X射线粉末衍射仪，可实现液氦（最低温11K）到1500 K温区的高分辨X射线衍射分析；还配备了先进的拉曼光谱仪和荧光光谱仪，可对样品进行光谱分析。 |
| 科研队伍和骨干专家 |
现有固定人员31人，其中有中科院院士4人（其中2人当选第三世界科学院院士），正高级职称人员15人（其中曾有5人入选中科院“**计划”，2人获国家杰出青年基金），副高级职称人员8人。学术委员会由国内外相关领域的专家组成，负责指导和建议实验室的研究方向、管理制度与运行模式。实验室有多名研究人员在国内外学术组织机构任职，担任国内外知名学术期刊的副主编及编委。
陈小龙，博士，德国海德堡大学和巴洛意特大学洪堡学者。现任中科院物理研究所研究员，博士生导师，实验室主任，1999年获国家杰出青年科学基金，2003年入选中科院“**计划”，2004年至今兼任中国晶体学会副理事长和国际衍射数据中心（ICDD）中国区主席，2007年获ICDD Fellow称号，2009年成为“新世纪百千万人才工程”国家级人选，2009年获第五届“发明创业奖”特等奖，作为负责人带领宽禁带半导体材料研究与应用团队获2010年度“中科院先进集体”荣誉称号。 |
| 科研成果 |
在国家863、973和科技支撑计划等科研项目的支持下，A02组近年来在SiC晶体生长和加工、铁基新超导体和硼酸盐晶体、掺杂宽禁带半导体的物性以及SiC衬底上外延石墨烯及其性能等方面获得了一系列基础研究成果，同时在高技术产业化领域也取得了重大突破，形成了鲜明的特色。克了晶体制备重复性和稳定性等关键工程化问题，在国内率先实现了碳化硅晶体的产业化，碳化硅系列晶片批量供应国内用户，并出口至欧美和日本等发达国家，打破了国外的长期垄断，为发展我国宽禁带半导体产业奠定了基础。发现了一系列新的功能晶体材料，包括新超导体K0.8Fe2Se2和具有潜在应用价值的闪烁晶体YBa3B9O18等，精确测定了新化合物的晶体结构，其中120个化合物的衍射数据被ICDD收录为标准衍射数据。
从原子级别上在TmMnO3和LuMnO3中观察到两种180度畴壁类型：横向型（头对尾）和纵向型（尾对尾）。
合成了一系列Bi2Te3/Sb2Te3纳米结构，研究了相关纳米结构的生长机制。 |
| 代表仪器设备 |
名称 | 场发射扫描电镜 | 原值（万元） | 208.00 | 厂商及型号 | FEI，XL30 S－FEG | 主要性能参数 | 最高成像分辨率1.5nm 加速电压：200V-30kV 放大倍数：80倍-80万倍 工作距离：1-50mm 倾斜角度：-10度-45度 X射线能谱： 分辨率：130eV 分析范围:B-U | 功能用途 | 该仪器具有超高分辨率，能做各种固态样品表面形貌的二次电子像、反射电子像及图像处理。 配有高性能X射线能谱仪，能同时进行样品表层的微区成分的定性、半定量和定量分析，获得元素的分布图及颗粒粒径大小统计 |
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| 专业服务机构名称 |
北京科岳中科科技服务有限公司 |
| 负责人 |
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联系人 |
张利军、孟月娟 |
电话 |
18611890039 |
| 邮箱 |
zhanglj@cashq.ac.cn |
邮编 |
100086 |
| 地址 |
北京海淀中关村保福寺桥100号 |
